MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 58 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 tubo de 30 unidades)*

161,64 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 630 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Tubo*
30 +5,388 €161,64 €

*preço indicativo

Código RS:
248-5819
Referência do fabricante:
NTHL060N065SC1
Fabricante:
onsemi
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

58A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

NTH

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

22mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Disipación de potencia máxima Pd

117W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

74nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L


El MOSFET de carburo de silicio (SiC) de ON Semiconductor es un MOSFET de canal N con tensión de drenaje a fuente de 650 V y disipación de potencia de 176 W, encapsulado TO247-3L y este dispositivo no contiene haluros y es conforme con RoHS con exención 7a, sin plomo 2LI.

Carga de puerta ultrabaja 74 nC

Capacitancia baja 133 pF

Probado al 100 % para avalancha

Temperatura 175 °C

RDS(on) 44 mohm

Links relacionados