MOSFET, N-Canal Infineon BSZ018NE2LSIATMA1, VDSS 40 V, ID 212 A, N, PQFN de 8 pines

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Código RS:
241-9699
Referência do fabricante:
BSZ018NE2LSIATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

212A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

PQFN

Serie

BSZ

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.7mΩ

Modo de canal

N

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia OptiMOS de Infineon es un MOSFET de canal N optimizado para convertidor reductor de alto rendimiento. Está probado al 100 % para avalancha.

Diodo monolítico integrado tipo Schottky

Libre de halógenos según IEC61249-2-21

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