MOSFET Infineon, Tipo N, Tipo P-Canal BSD235CH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 950 mA, US, Mejora de 6 pines, 2
- Código RS:
- 250-0522
- Referência do fabricante:
- BSD235CH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
171,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 6000 unidade(s) para enviar a partir do dia 02 de novembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,057 € | 171,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 250-0522
- Referência do fabricante:
- BSD235CH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 950mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | US | |
| Serie | BSD235C | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 6 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 1.20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.5W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N, Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 950mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado US | ||
Serie BSD235C | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 6 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 1.20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.5W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de la serie BSD235C de Infineon, tensión de drenaje-fuente máxima de 20 V, corriente de drenaje continua máxima de 0,95 A - BSD235CH6327XTSA1
Este MOSFET es un transistor de modo de mejora doble diseñado para aplicaciones compactas de automoción. Integra elementos de canal N y canal P en un único chip dentro de un encapsulado SOT‐363 de 6 contactos, lo que permite tareas de conmutación y señalización de tamaño reducido. El dispositivo está especificado para funcionar en un amplio rango de temperaturas adecuado para entornos exigentes y se ajusta a las restricciones de materiales ambientales.
Características y ventajas:
• La tensión de fuente de drenaje máxima de 20 V permite la capacidad de conmutación de baja tensión
• La corriente de drenaje continua de 0.95 A admite cargas de corriente moderadas
• La potencia nominal de fuente de puerta de 1,2 V permite el funcionamiento de accionamiento de puerta de baja tensión
• La disipación de potencia de 0,5 W permite un presupuesto térmico compacto
• La temperatura máxima de funcionamiento de 150 °C permite un uso ambiental elevado
• La corriente de drenaje continua de 0.95 A admite cargas de corriente moderadas
• La potencia nominal de fuente de puerta de 1,2 V permite el funcionamiento de accionamiento de puerta de baja tensión
• La disipación de potencia de 0,5 W permite un presupuesto térmico compacto
• La temperatura máxima de funcionamiento de 150 °C permite un uso ambiental elevado
Aplicaciones
• Adecuado para conmutación de carga de automoción en espacios reducidos
• Ideal para etapas complementarias de señal push-pull
• Se utiliza con lógica de control de baja tensión para control de puerta
• Puede utilizarse para la gestión redundante de energía de doble elemento
• Se utiliza para diseños de placas compactas que requieren la conformidad con RoHS
• Ideal para etapas complementarias de señal push-pull
• Se utiliza con lógica de control de baja tensión para control de puerta
• Puede utilizarse para la gestión redundante de energía de doble elemento
• Se utiliza para diseños de placas compactas que requieren la conformidad con RoHS
¿Cuántos elementos de transistor están integrados en el chip?
Contiene dos elementos, un canal N y un canal P.
¿Qué número de contactos y encapsulado debo planificar en el diseño de la placa de circuito impreso?
El dispositivo utiliza una huella SOT‐363 de 6 contactos para el montaje en superficie.
¿Qué temperaturas extremas puede soportar durante el funcionamiento?
El rango de funcionamiento permitido oscila entre –55 y 150 °C.
¿Es adecuado el dispositivo donde se aplican restricciones de material?
Cumple los requisitos de material RoHS y está diseñado en consecuencia.
Links relacionados
- MOSFET Infineon, Tipo N, Tipo P-Canal BSD235CH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 0.95 A, US, Mejora de 6 pines, 2
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID -1.5 A, Mejora, US de 6 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID -0.39 A, Mejora, US de 6 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSV236SPH6327XTSA1, VDSS 40 V, ID -1.5 A, Mejora, US de 6 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSD223PH6327XTSA1, VDSS 40 V, ID -0.39 A, Mejora, US de 6 pines
- MOSFET onsemi, Tipo N, Tipo N, Tipo P, Tipo P-Canal FDG6332C, VDSS 20 V, ID 700 mA, US, Mejora de 6 pines, 2, config.
- MOSFET DiodesZetex, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 20 V, ID 4.6 A, US, Mejora de 6 pines, 2
- MOSFET DiodesZetex, Tipo N, Tipo P-Canal DMC2710UDWQ-7, VDSS 20 V, ID 4.6 A, US, Mejora de 6 pines, 2