MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IAUZ40N06S5L050ATMA1, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TSDSON de 8 pines
- Código RS:
- 249-8631
- Referência do fabricante:
- IAUZ40N06S5L050ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
7,32 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 5000 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,464 € | 7,32 € |
| 50 - 120 | 1,318 € | 6,59 € |
| 125 - 245 | 1,232 € | 6,16 € |
| 250 - 495 | 1,142 € | 5,71 € |
| 500 + | 1,068 € | 5,34 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 249-8631
- Referência do fabricante:
- IAUZ40N06S5L050ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 120A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TSDSON | |
| Serie | IAUC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 120A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TSDSON | ||
Serie IAUC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de automoción Infineon 60V, N-Ch, 5 mohm con tecnología OptiMOS 5 para MOSFET 60V en el encapsulado S3O8 estándar del sector de tamaño pequeño de 3 mm x 3 mm con rendimiento líder que proporciona baja capacitancia de puerta, QG y RDSon y minimiza las pérdidas de conmutación y conducción.
MOSFET de potencia OptiMOS para aplicaciones de automoción
Canal N, modo de mejora, nivel lógico
Calificación ampliada más allá de AEC-Q101
Pruebas eléctricas mejoradas
Diseño robusto
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Producto ecológico (compatible con RoHS)
100% Avalanche probado
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TSDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISZ106N12LM6ATMA1, VDSS 120 V, ID 62 A, Mejora, PG-TSDSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISZ330N12LM6ATMA1, VDSS 120 V, ID 24 A, Mejora, PG-TSDSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 40 A, Mejora, TSDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ097N04LSGATMA1, VDSS 40 V, ID 40 A, Mejora, TSDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 40 A, Mejora, TSDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, TSDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 126 A, Mejora, TSDSON de 8 pines