MOSFET, N-Canal Infineon IAUZ40N06S5L050ATMA1, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TSDSON de 8 pines
- Código RS:
- 249-8631
- Referência do fabricante:
- IAUZ40N06S5L050ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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| 50 - 120 | 1,564 € | 7,82 € |
| 125 - 245 | 1,46 € | 7,30 € |
| 250 - 495 | 1,356 € | 6,78 € |
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- Código RS:
- 249-8631
- Referência do fabricante:
- IAUZ40N06S5L050ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 120A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | IAUC | |
| Encapsulado | TSDSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 120A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie IAUC | ||
Encapsulado TSDSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de automoción Infineon 60V, N-Ch, 5 mohm con tecnología OptiMOS 5 para MOSFET 60V en el encapsulado S3O8 estándar del sector de tamaño pequeño de 3 mm x 3 mm con rendimiento líder que proporciona baja capacitancia de puerta, QG y RDSon y minimiza las pérdidas de conmutación y conducción.
MOSFET de potencia OptiMOS para aplicaciones de automoción
Canal N, modo de mejora, nivel lógico
Calificación ampliada más allá de AEC-Q101
Pruebas eléctricas mejoradas
Diseño robusto
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Producto ecológico (compatible con RoHS)
100% Avalanche probado
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