MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 40 A, Mejora, TSDSON de 8 pines

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Código RS:
911-0803
Referência do fabricante:
BSZ097N04LSGATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TSDSON

Serie

OptiMOS 3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

14.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

35W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.1mm

Longitud

3.4mm

Anchura

3.4 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia OptiMOS™3 de Infineon, hasta 40 V


Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

MOSFET de conmutación rápida para SMPS

Tecnología optimizada para convertidores dc/dc

Homologación según JEDEC1) para aplicaciones de destino

Canal N, nivel lógico

Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)

RDS(on) de muy baja resistencia

Chapado sin plomo

Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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