MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISZ330N12LM6ATMA1, VDSS 120 V, ID 24 A, Mejora, PG-TSDSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 284-796
- Referência do fabricante:
- ISZ330N12LM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Sem stock actualmente
Lamentamos, mas não temos previsão para a reposição deste artigo
- Código RS:
- 284-796
- Referência do fabricante:
- ISZ330N12LM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 24A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 120V | |
| Encapsulado | PG-TSDSON-8 | |
| Serie | OptiMOS 6 Power Transistor | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 33mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 43W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 24A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 120V | ||
Encapsulado PG-TSDSON-8 | ||
Serie OptiMOS 6 Power Transistor | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 33mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 43W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon está diseñado para satisfacer las demandas rigurosas de las aplicaciones electrónicas modernas, ofreciendo una eficiencia y fiabilidad óptimas. La tecnología OptiMOS 6 avanzada permite a este componente ofrecer un rendimiento excepcional en diversas condiciones de funcionamiento, lo que garantiza que siga siendo una elección TOP para ingenieros y desarrolladores. Su diseño robusto refleja un equilibrio cuidadoso entre altas velocidades de conmutación y baja resistencia de encendido, lo que lo convierte en un excelente candidato para aplicaciones de alta frecuencia como rectificación síncrona y gestión de potencia. El transistor es especialmente adecuado para entornos industriales, con un valor nominal térmico que admite amplios rangos de funcionamiento y ciclos de altas prestaciones.
Optimizado para conmutación de alta frecuencia
Chapado de cable sin plomo para garantizar el cumplimiento
Sin halógenos para la sostenibilidad ambiental
Clasificación MSL 1 para un montaje fiable
Eficiencia térmica superior con baja resistencia de encendido
Excelente carga de puerta para una conmutación más rápida
Calificación completa conforme a los estándares JEDEC
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISZ330N12LM6ATMA1, VDSS 120 V, ID 24 A, Mejora, PG-TSDSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISZ106N12LM6ATMA1, VDSS 120 V, ID 62 A, Mejora, PG-TSDSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 11.3 A, Mejora, PG-TSDSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISZ056N03LF2SATMA1, VDSS 30 V, ID 72 A, Mejora, PG-TSDSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISZ113N10NM5LF2ATMA1, VDSS 100 V, ID 63 A, Mejora, PG-TSDSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ12DN20NS3GATMA1, VDSS 200 V, ID 11.3 A, Mejora, PG-TSDSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 142 A, Mejora, PG-TSDSON-8FL de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, PG-TSDSON-8FL de 8 pines