MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT063N15N5ATMA1, VDSS 150 V, ID 122 A, Mejora, HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 249-3356
- Referência do fabricante:
- IPT063N15N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- 249-3356
- Referência do fabricante:
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 122A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Serie | IPT | |
| Encapsulado | HSOF-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 122A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Serie IPT | ||
Encapsulado HSOF-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El mosfet de potencia Infineon Optimos 5 es un mosfet de canal N que ofrece una resistencia de conexión muy baja y una resistencia térmica superior. Este dispositivo no contiene Pb (plomo) ni halógenos. Se suministra en un empaquetado de montaje superficial PG-HSOF-8.
Vds (tensión de drenaje a fuente) es de 150 V
Rds (máx. encendido) es de 6,3 milliohmios e Id es de 122 A
Qdss y los valores de Qg son de 131 nC y 47 nC respectivamente
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