MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 122 A, Mejora, HSOF-8 de 8 pines

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Código RS:
249-3355
Referência do fabricante:
IPT063N15N5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

122A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

HSOF-8

Serie

IPT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión directa Vf

1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El mosfet de potencia Infineon Optimos 5 es un mosfet de canal N que ofrece una resistencia de conexión muy baja y una resistencia térmica superior. Este dispositivo no contiene Pb (plomo) ni halógenos. Se suministra en un empaquetado de montaje superficial PG-HSOF-8.

Vds (tensión de drenaje a fuente) es de 150 V

Rds (máx. encendido) es de 6,3 milliohmios e Id es de 122 A

Qdss y los valores de Qg son de 131 nC y 47 nC respectivamente

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