MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT60R055CFD7XTMA1, VDSS 40 V, ID 400 A, Mejora, HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 250-0595
- Referência do fabricante:
- IPT60R055CFD7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
6,08 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 27 de julho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 6,08 € |
| 10 - 24 | 5,80 € |
| 25 - 49 | 5,54 € |
| 50 - 99 | 5,29 € |
| 100 + | 4,93 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 250-0595
- Referência do fabricante:
- IPT60R055CFD7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 400A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | HSOF-8 | |
| Serie | IPT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 400A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado HSOF-8 | ||
Serie IPT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
CoolMOS de Infineon es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superconexión (SJ) y con las tecnologías de Infineon como pioneras. La avanzada CoolMOS CFD7 es la sucesora de la serie CoolMOS CFD2 y es una plataforma optimizada diseñada específicamente para aplicaciones de conmutación suave, como el puente completo con cambio de fase (ZVS) y LLC, resultante de una carga de puerta (Qg) reducida, la mejor carga de recuperación inversa (Qrr) de su clase y un comportamiento de desconexión mejorado. CoolMOS CFD7 ofrece la máxima eficiencia en topologías resonantes.
Mejor RDS(on) de su clase en encapsulados SMD y THD
Excelente resistencia de conmutación dura
Máxima fiabilidad para topologías resonantes
Máxima eficiencia con una excelente facilidad de uso/compromiso de rendimiento
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 400 A, Mejora, HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 122 A, Mejora, HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 190 A, Mejora, HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 174 A, Mejora, HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 143 A, Mejora, HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 300 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 150 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 165 A, Mejora, HSOF de 8 pines