MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 55 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 248-9686
- Referência do fabricante:
- STP60N043DM9
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- 248-9686
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 55A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | STP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 45mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 245W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | UL | |
| Altura | 4.6mm | |
| Anchura | 10.4 mm | |
| Longitud | 28.9mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 55A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie STP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 45mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 245W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares UL | ||
Altura 4.6mm | ||
Anchura 10.4 mm | ||
Longitud 28.9mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El producto de STMicroelectronics es un MOSFET de potencia de canal N basado en la tecnología MDmesh DM9 de superconexión más innovadora, adecuado para MOSFET de media o alta tensión con RDS muy bajo por área acoplado con un diodo de recuperación rápida. La tecnología DM9 basada en silicio se beneficia de un proceso de fabricación de drenaje múltiple que permite una estructura de dispositivo mejorada. El diodo de recuperación rápida con carga de recuperación muy baja, tiempo y RDS activado hace que este MOSFET de potencia de superconexión de conmutación rápida se adapte para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y los convertidores de desplazamiento de fase ZVS.
Diodo de cuerpo de recuperación rápida
Mejor RDS del mundo por área entre los dispositivos de recuperación rápida basados en silicio
Baja carga de puerta, capacitancia de entrada y resistencia
Probado 100 por ciento para avalancha
Extrema resistencia dv/dt
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