MOSFET de potencia, Tipo N-Canal IXYS IXFT18N100Q3, VDSS 1000 V, ID 18 A, Mejora, TO-268 de 3 pines
- Código RS:
- 168-4712
- Referência do fabricante:
- IXFT18N100Q3
- Fabricante:
- IXYS
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- Código RS:
- 168-4712
- Referência do fabricante:
- IXFT18N100Q3
- Fabricante:
- IXYS
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 18A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1000V | |
| Encapsulado | TO-268 | |
| Serie | Q3-Class | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 660mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 90nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 830W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 14 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 5.1mm | |
| Longitud | 16.05mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 18A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1000V | ||
Encapsulado TO-268 | ||
Serie Q3-Class | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 660mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 90nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 830W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 14 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 5.1mm | ||
Longitud 16.05mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- US
MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3
Los MOSFET de potencia HiperFET™ de clase Q3 de IXYS son ideales para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura, y ofrecen baja descarga de compuerta con resistencia excepcional. Los dispositivos incorporan un diodo rápido intrínseco y están disponibles en una gran variedad de encapsulados de estándar industrial, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 1.100 V y 70 A. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, cargadores de batería, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc y control de iluminación y temperatura.
Diodo rectificador rápido intrínseco
Bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)
Baja resistencia de compuerta intrínseca
Encapsulados estándar del sector
Baja inductancia de encapsulado
Alta densidad de potencia
Transistores MOSFET, IXYS
Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS
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