MOSFET, N-Canal IXYS, VDSS 650 V, ID 60 A, Mejora, TO-268 de 3 pines
- Código RS:
- 146-4378
- Número do artigo Distrelec:
- 302-53-402
- Referência do fabricante:
- IXFT60N65X2HV
- Fabricante:
- IXYS
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
12,77 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 17 unidade(s) para enviar a partir do dia 28 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 4 | 12,77 € |
| 5 - 9 | 12,05 € |
| 10 + | 11,63 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 146-4378
- Número do artigo Distrelec:
- 302-53-402
- Referência do fabricante:
- IXFT60N65X2HV
- Fabricante:
- IXYS
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 60A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | HiperFET | |
| Encapsulado | TO-268 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 52mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 780W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 108nC | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 16.05mm | |
| Anchura | 15.15mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 5.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 60A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie HiperFET | ||
Encapsulado TO-268 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 52mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 780W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 108nC | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 16.05mm | ||
Anchura 15.15mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 5.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
RDS (ON) y Qg bajas
Diodo de cuerpo rápido
Resistencia a dv/dt
Avalancha nominal
Baja inductancia de encapsulado
Encapsulados estándar internacionales
Fuentes de alimentación de modo resonante
Reactancia de lámpara de descarga de alta intensidad (HID)
Controladores de motor de ac y dc
Convertidores dc-dc
Robótica y control de servo
Cargadores de batería
Inversores solares de 3 niveles
Iluminación de LED
Vehículos aéreos no tripulados (UAV)
Mayor eficiencia
Alta densidad de potencia
Fácil de montar
Ahorro de espacio
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFT60N65X2HV, VDSS 650 V, ID 60 A, Mejora, TO-268 de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal IXYS IXFT18N100Q3, VDSS 1000 V, ID 18 A, Mejora, TO-268 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 650 V, ID 60 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFH60N65X2, VDSS 650 V, ID 60 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 650 V, ID 54 A, Mejora, ISOPLUS247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 650 V, ID 120 A, Mejora, PLUS247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXTX120N65X2, VDSS 650 V, ID 120 A, Mejora, PLUS247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXTR102N65X2, VDSS 650 V, ID 54 A, Mejora, ISOPLUS247 de 3 pines