MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTTFS012N10MDTAG, VDSS 1200 V, ID 58 A, N, WDFN de 8 pines
- Código RS:
- 244-9189
- Referência do fabricante:
- NTTFS012N10MDTAG
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
9,77 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Últimas unidades em stock
- Última(s) 1310 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,954 € | 9,77 € |
| 50 - 95 | 1,684 € | 8,42 € |
| 100 - 495 | 1,46 € | 7,30 € |
| 500 - 995 | 1,284 € | 6,42 € |
| 1000 + | 1,168 € | 5,84 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 244-9189
- Referência do fabricante:
- NTTFS012N10MDTAG
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 58A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | WDFN | |
| Serie | NTT | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 22mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 117W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 58A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado WDFN | ||
Serie NTT | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 22mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Disipación de potencia máxima Pd 117W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET DE ON Semiconductor se utiliza como interruptor principal en convertidor dc-dc aislado, rectificación síncrona (SR) en dc-dc y ac-dc, adaptadores ac-dc (USB PD) SR, interruptor de carga, interruptor de intercambio directo y junta tórica, motor BLDC e inversor solar.
Tecnología MOSFET de puerta apantallada
Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción
Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador
QRR bajo, diodo de cuerpo de recuperación suave
Bajo QOSS para mejorar la eficiencia de carga ligera
Estos dispositivos no contienen plomo, no contienen halógenos/BFR, no contienen berilio y son conformes con RoHS
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 58 A, N, WDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 58 A, N, DFN de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS6H824NT1G, VDSS 1200 V, ID 58 A, N, DFN de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS5C645NT1G, VDSS 1200 V, ID 58 A, N, DFN de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 58 A, N, DFN-5 de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS3D2N10MDT1G, VDSS 1200 V, ID 58 A, N, DFN-5 de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 58 A, TO-252 de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 58 A, TO-247 de 5 pines