MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 58 A, N, WDFN de 8 pines

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Código RS:
244-9188
Referência do fabricante:
NTTFS012N10MDTAG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

58A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

WDFN

Serie

NTT

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

22mΩ

Modo de canal

N

Disipación de potencia máxima Pd

117W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET DE ON Semiconductor se utiliza como interruptor principal en convertidor dc-dc aislado, rectificación síncrona (SR) en dc-dc y ac-dc, adaptadores ac-dc (USB PD) SR, interruptor de carga, interruptor de intercambio directo y junta tórica, motor BLDC e inversor solar.

Tecnología MOSFET de puerta apantallada

Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción

Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador

QRR bajo, diodo de cuerpo de recuperación suave

Bajo QOSS para mejorar la eficiencia de carga ligera

Estos dispositivos no contienen plomo, no contienen halógenos/BFR, no contienen berilio y son conformes con RoHS

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