MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS3D2N10MDT1G, VDSS 1200 V, ID 58 A, N, DFN-5 de 5 pines
- Código RS:
- 244-9183
- Referência do fabricante:
- NTMFS3D2N10MDT1G
- Fabricante:
- onsemi
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- 244-9183
- Referência do fabricante:
- NTMFS3D2N10MDT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 58A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | DFN-5 | |
| Serie | NTM | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 22mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 48nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 117W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | Pb-Free, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 58A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado DFN-5 | ||
Serie NTM | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 22mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 48nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 117W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares Pb-Free, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET ON Semiconductor se utiliza como interruptor principal en convertidor dc-dc aislado, rectificación síncrona (SR) en dc-dc y ac-dc, adaptadores ac-dc (USB PD) SR, interruptor de carga, intercambio directo, interruptor de junta tórica, motor BLDC e inversor solar. La tensión de drenador a fuente y la tensión de puerta a fuente para este MOSFET es de 100 V y ±20 V respectivamente.
Tecnología MOSFET de puerta apantallada
Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción
Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador
QRR bajo, diodo de cuerpo de recuperación suave
Bajo QOSS para mejorar la eficiencia de carga ligera
Estos dispositivos no contienen plomo, no contienen halógenos/BFR, no contienen berilio y son conformes con RoHS
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