MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 180 A, N, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 244-8547
- Referência do fabricante:
- IPD65R660CFDAATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
2 097,50 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 06 de julho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,839 € | 2 097,50 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 244-8547
- Referência do fabricante:
- IPD65R660CFDAATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 180A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 75V | |
| Serie | IPD | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 180A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 75V | ||
Serie IPD | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET CoolMOS de Infineon es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada conforme al principio de superunión (SJ) y pionera en tecnologías Infineon. La serie 650V CoolMOS CFDA combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con una innovación de alta calidad. Los dispositivos resultantes proporcionan todas las ventajas de un MOSFET SJ de conmutación rápida al tiempo que ofrecen un diodo de cuerpo muy rápido y robusto. Esta combinación de pérdidas de conmutación, conmutación y conducción extremadamente bajas junto con la mayor solidez hacen que las aplicaciones de conmutación especialmente resonante sean más fiables, eficientes, ligeras y refrigeradas.
Diodo de cuerpo ultrarrápido
Resistencia de conmutación muy alta
Pérdidas extremadamente bajas debido a muy bajas
Fácil de usar/manejar
Certificación según AEC Q101
Encapsulado verde (conforme con RoHS)
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD65R660CFDAATMA1, VDSS 75 V, ID 180 A, N, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 180 A, N, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD60R145CFD7ATMA1, VDSS 75 V, ID 180 A, N, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD050N10N5ATMA1, VDSS 75 V, ID 180 A, N, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD80R450P7ATMA1, VDSS 75 V, ID 180 A, N, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 180 A, N, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 180 A, N, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 80 A, TO-252