MOSFET, N-Canal Infineon IPD050N10N5ATMA1, VDSS 75 V, ID 180 A, N, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
244-8544
Referência do fabricante:
IPD050N10N5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

180A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

75V

Serie

IPD

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3mΩ

Modo de canal

N

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de la serie IPD de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 75 V, corriente de drenaje continua máxima de 180 A - IPD050N10N5ATMA1


Este MOSFET es un transistor de potencia de canal N de montaje en superficie diseñado para conmutación de alta corriente en entornos exigentes, que ofrece una amplia tolerancia de temperatura de funcionamiento y cumple los estándares ambientales del sector.

Características y ventajas:


• La tensión máxima de drenaje-fuente de 75 V permite la conmutación de tensión moderada
• La corriente de drenaje continua de 180 A admite aplicaciones de alta corriente
• La baja resistencia de conexión de 3 mΩ minimiza las pérdidas por conducción
• La disipación de potencia de 81 W permite una gestión sostenida de la carga térmica
• La carga de puerta típica de 80 nC permite requisitos de accionamiento de puerta predecibles
• La potencia nominal máxima de puerta-fuente de 20 V admite un accionamiento de puerta robusto

Aplicaciones


• Apto para unidades de distribución de potencia de automoción
• Ideal para convertidores dc-dc en equipos industriales
• Se utiliza para etapas de accionamiento de motor que requieren alta corriente
• Puede utilizarse para la gestión de baterías y la protección
• Se utiliza con matrices de conmutación de potencia en conjuntos de montaje en superficie

¿En qué intervalo de temperatura puede funcionar?


Funciona en un rango ampliado de –55 a 175 °C, soportando condiciones térmicas hostiles.

¿Cómo influye el encapsulado en el montaje y el rendimiento térmico?


El encapsulado de montaje en superficie TO-252 proporciona un tamaño de placa compacto y facilita la transferencia de calor a la PCB para la gestión térmica.

¿Qué característica de diodo es relevante para la conducción directa?


El diodo intrínseco presenta una tensión directa de aproximadamente 1,3 V durante eventos de conducción.

¿Es adecuado para aplicaciones con restricciones ambientales de materiales?


Cumple los requisitos de la directiva RoHS y las restricciones sobre determinadas sustancias peligrosas.

¿Qué orientación y modo de canal utiliza?


Emplea un canal de tipo N que funciona en modo de mejora para un comportamiento de conmutación de potencia estándar.

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