MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD050N10N5ATMA1, VDSS 75 V, ID 180 A, N, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
244-8544
Referência do fabricante:
IPD050N10N5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

180A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

75V

Encapsulado

TO-252

Serie

IPD

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3mΩ

Modo de canal

N

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de potencia MOSFET OptiMOSTM5 de Infineon tiene chapado de cable sin plomo, cumple con RoHS y no contiene halógenos conforme a IEC61249-2-21.

Canal N, nivel normal

Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)

Resistencia de conexión RDS(on) muy baja

Temperatura de funcionamiento de 175 °C.

Ideal para conmutación de alta frecuencia

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