MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 80 A, TO-252

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Código RS:
257-9405
Referência do fabricante:
IRFR3607TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

80A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

75V

Encapsulado

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9mΩ

Disipación de potencia máxima Pd

140W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

56nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

La serie IRFR de Infineon es el mosfet de potencia HEXFET de un canal n de 75 V en un encapsulado D Pak. La familia IR mosfet de mosfets de potencia utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia gama de dispositivos para admitir diversas aplicaciones como motores dc, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga, así como aplicaciones alimentadas por batería. Los dispositivos están disponibles en una variedad de encapsulados de montaje en superficie y de orificio pasante con huellas estándar del sector para facilitar el diseño.

Estructura de celda planar para SOA amplio

Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Calificación del producto conforme al estándar JEDEC

Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz

Encapsulado de montaje en superficie estándar del sector

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