MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 180 A, N, TO-252 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*

2 505,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 22 de abril de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
2500 +1,002 €2 505,00 €

*preço indicativo

Código RS:
244-0877
Referência do fabricante:
IPD50N10S3L16ATMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

180A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

IPD

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.7mΩ

Modo de canal

N

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de potencia MOSFET OptiMOSTM de Infineon es un producto ecológico conforme a RoHS y que cuenta con la certificación AEC Q101 de automoción.

Canal N - Modo de mejora

MSL1 hasta 260 °C de pico de reflujo

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

100 % probado en avalancha

Links relacionados