MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 212 A, N, PQFN de 8 pines
- Código RS:
- 241-9704
- Referência do fabricante:
- BSZ039N06NSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 5000 unidades)*
2 415,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 5000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,483 € | 2 415,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 241-9704
- Referência do fabricante:
- BSZ039N06NSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 212A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | BSZ | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.7mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 212A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie BSZ | ||
Encapsulado PQFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.7mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor de potencia Infineon OptiMOS es un MOSFET de canal N que está completamente cualificado según JEDEC para aplicaciones industriales. Presenta una mayor fiabilidad de las juntas de soldadura gracias a la interconexión ampliada de la fuente.
Optimizado para SMPS de alto rendimiento
Resistencia térmica superior
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ039N06NSATMA1, VDSS 40 V, ID 212 A, N, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 212 A, N, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ024N04LS6ATMA1, VDSS 40 V, ID 212 A, N, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ018NE2LSIATMA1, VDSS 40 V, ID 212 A, N, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ018NE2LSATMA1, VDSS 40 V, ID 212 A, N, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ021N04LS6ATMA1, VDSS 40 V, ID 212 A, N, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 212 A, P, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSZ15DC02KDHXTMA1, VDSS 40 V, ID 212 A, P, PQFN de 8 pines