MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 212 A, N, PQFN de 8 pines

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Código RS:
241-9702
Referência do fabricante:
BSZ024N04LS6ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

212A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

BSZ

Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.7mΩ

Modo de canal

N

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

MOSFET de la serie BSZ de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 40 V, corriente de drenaje continua máxima de 212 A - BSZ024N04LS6ATMA1


Este MOSFET es un dispositivo de conmutación de canal N basado en silicio diseñado para aplicaciones de potencia de alta corriente en conjuntos de montaje en superficie. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para su uso donde se requieren bajas pérdidas por conducción y un manejo de puertas robusto.

Características y ventajas:


• La Rds(on) de 0,7 mΩ reduce las pérdidas por conducción para un funcionamiento de alta eficiencia
• La corriente de drenaje continua de 212 A admite cargas de corriente pesada
• El valor nominal de drenaje-fuente de 40 V permite etapas de potencia de baja tensión
• La disipación de potencia de 81 W gestiona el estrés térmico durante cargas elevadas
• La carga de puerta típica de 80 nC equilibra la velocidad de conmutación y el esfuerzo de accionamiento
• El límite de puerta-fuente de 20 V proporciona un margen de protección de puerta definido

Aplicaciones


• Adecuado para etapas de controlador de motor que requieren alta corriente continua
• Ideal para etapas primarias o síncronas de convertidor dc-dc
• Se utiliza con electrónica de potencia en sistemas de accionamiento industriales
• Se puede utilizar para conmutación de alta corriente en la gestión de baterías
• Adecuado para conjuntos de montaje en superficie que necesitan encapsulados PQFN compactos

¿Qué tipo de encapsulado se utiliza para el montaje térmico y en PCB?


Se suministra en un encapsulado PQFN optimizado para montaje en superficie y transferencia de calor.

¿Qué intervalo de temperatura ambiente puede soportar durante el funcionamiento?


Funciona a temperaturas de −55 °C a 175 °C para un amplio rango de aplicaciones.

¿Cómo maneja el dispositivo los requisitos de accionamiento de puerta?


La puerta requiere un accionamiento compatible con una carga de puerta típica de 80 nC y no debe exceder un límite de 20 V Vgs.

¿El dispositivo cumple las directivas de materiales electrónicos habituales?


Cumple los requisitos RoHS que restringen determinadas sustancias peligrosas.

¿Cuántas conexiones eléctricas presenta el encapsulado para el diseño de la placa de circuito impreso?


El dispositivo se suministra con una configuración de 8 contactos para diseño de enrutamiento y tierra térmica.

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