MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHP21N80AEF-GE3, VDSS 850 V, ID 165.3 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*

17,34 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Últimas unidades em stock
  • Última(s) 375 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição

Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
5 - 453,468 €17,34 €
50 - 1203,122 €15,61 €
125 - 2452,948 €14,74 €
250 - 4952,532 €12,66 €
500 +2,184 €10,92 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
228-2879
Referência do fabricante:
SIHP21N80AEF-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

165.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

850V

Serie

E

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

250mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

179W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

47nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de la serie E de Vishay reduce las pérdidas de conducción y conmutación.

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja

Baja capacitancia efectiva (Co(er))

Links relacionados