MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHP21N80AEF-GE3, VDSS 850 V, ID 165.3 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 228-2879
- Referência do fabricante:
- SIHP21N80AEF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
18,35 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Últimas unidades em stock
- Última(s) 375 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 3,67 € | 18,35 € |
| 50 - 120 | 3,304 € | 16,52 € |
| 125 - 245 | 3,12 € | 15,60 € |
| 250 - 495 | 2,68 € | 13,40 € |
| 500 + | 2,314 € | 11,57 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 228-2879
- Referência do fabricante:
- SIHP21N80AEF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 165.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 850V | |
| Serie | E | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 250mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 179W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 47nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 165.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 850V | ||
Serie E | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 250mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 179W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 47nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de la serie E de Vishay reduce las pérdidas de conducción y conmutación.
Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja
Baja capacitancia efectiva (Co(er))
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 850 V, ID 165.3 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHP17N80AEF-GE3, VDSS 850 V, ID 15 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHP6N80AE-GE3, VDSS 850 V, ID 5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHA24N80AE-GE3, VDSS 850 V, ID 9 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHA5N80AE-GE3, VDSS 850 V, ID 3 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 850 V, ID 15 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 850 V, ID 5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 850 V, ID 9 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
