STMicroelectronics, N-Canal SCT018W65G3AG, VDSS 650 V, ID 55 A, Hip-247, Mejora de 3 pines
- Código RS:
- 671-935
- Referência do fabricante:
- SCT018W65G3AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 671-935
- Referência do fabricante:
- SCT018W65G3AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Legislação e Conformidade
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 650 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 55 A | |
| Encapsulado | Hip-247 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 3 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Altura | 5.15 mm | |
| Longitud | 35.9 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 20 mΩ | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 398 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Serie | SiC MOSFET | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs | 76 nC | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 650 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 55 A | ||
Encapsulado Hip-247 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 3 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Altura 5.15 mm | ||
Longitud 35.9 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 20 mΩ | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 398 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Serie SiC MOSFET | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs 76 nC | ||
- COO (País de Origem):
- CN
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