STMicroelectronics, Tipo N-Canal SCT018W65G3AG, VDSS 650 V, ID 55 A, Hip-247, Mejora de 3 pines
- Código RS:
- 671-935
- Referência do fabricante:
- SCT018W65G3AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 671-935
- Referência do fabricante:
- SCT018W65G3AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Legislação e Conformidade
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 55A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | SiC MOSFET | |
| Encapsulado | Hip-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 398W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 76nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 35.9mm | |
| Altura | 5.15mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 55A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie SiC MOSFET | ||
Encapsulado Hip-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 398W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 76nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 35.9mm | ||
Altura 5.15mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN