MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiSA12BDN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 87 A, PowerPAK 1212-8PT de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*

6,97 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
A ser descontinuado
  • Última(s) 5990 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
10 - 900,697 €6,97 €
100 - 4900,655 €6,55 €
500 - 9900,593 €5,93 €
1000 - 24900,558 €5,58 €
2500 +0,523 €5,23 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
239-5400
Referência do fabricante:
SiSA12BDN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

87A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

SIS

Encapsulado

PowerPAK 1212-8PT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0043Ω

Disipación de potencia máxima Pd

52W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.75mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

3.3 mm

Longitud

3.3mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de canal N de Vishay tiene una corriente de drenaje de 87 A. Se utiliza para dc/dc de alta densidad de potencia, la rectificación síncrona, VRM y dc/dc integrados, la protección de batería

Probado al 100 % Rg y UIS

Links relacionados

Recently viewed