MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISA10BDN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 104 A, PowerPAK 1212-8PT de 8 pines
- Código RS:
- 239-5398
- Referência do fabricante:
- SISA10BDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 104A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | SIS | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212-8PT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0036Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 63W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 11.7nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 0.75mm | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Anchura | 3.3 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 104A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie SIS | ||
Encapsulado PowerPAK 1212-8PT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0036Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 63W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11.7nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 0.75mm | ||
Longitud 3.3mm | ||
Anchura 3.3 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de canal N de Vishay tiene una corriente de drenaje de 104 A. Se utiliza para dc/dc de alta densidad de potencia, la rectificación síncrona, VRM y dc/dc integrados, la protección de batería
Probado al 100 % Rg y UIS
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