MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHP24N80AEF-GE3, VDSS 800 V, ID 20 A, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 239-5382
- Referência do fabricante:
- SIHP24N80AEF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 tubo de 50 unidades)*
96,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 21 de julho de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,92 € | 96,00 € |
| 100 - 200 | 1,805 € | 90,25 € |
| 250 + | 1,668 € | 83,40 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 239-5382
- Referência do fabricante:
- SIHP24N80AEF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | EF | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.195Ω | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 208W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 90nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie EF | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.195Ω | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 208W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 90nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie EF de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 800 V, corriente de drenaje continua de 20 A - SIHP24N80AEF-GE3
Este MOSFET de potencia es un dispositivo de conmutación de canal N de alta tensión diseñado para electrónica de potencia de orificio pasante. Está diseñado para su uso en entornos que requieren una conmutación robusta a tensiones y corrientes elevadas, proporcionando una conducción controlada y un comportamiento de conmutación rápido para aplicaciones industriales y de convertidores al tiempo que funciona en un rango de temperaturas muy amplio.
Características y ventajas:
• La potencia nominal de drenaje-fuente de 800 V permite la conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 20 A admite la manipulación de cargas pesadas
• La baja Rds(on) de 0.195 Ω reduce las pérdidas por conducción
• La disipación de potencia de 208 W permite un funcionamiento de alta potencia
• La carga de puerta típica de 90 nC proporciona una dinámica de conmutación predecible
• La fuente de puerta de 30 V máxima protege la integridad de la puerta
• La corriente de drenaje continua de 20 A admite la manipulación de cargas pesadas
• La baja Rds(on) de 0.195 Ω reduce las pérdidas por conducción
• La disipación de potencia de 208 W permite un funcionamiento de alta potencia
• La carga de puerta típica de 90 nC proporciona una dinámica de conmutación predecible
• La fuente de puerta de 30 V máxima protege la integridad de la puerta
Aplicaciones
• Apto para etapas de convertidor dc-dc de alta tensión
• Ideal para funciones de interruptor primario de alimentación
• Se utiliza con circuitos frontales de accionamiento por motor
• Puede utilizarse para la conmutación de inversores industriales
• Apto para instalaciones de prueba de alta tensión de laboratorio
• Ideal para funciones de interruptor primario de alimentación
• Se utiliza con circuitos frontales de accionamiento por motor
• Puede utilizarse para la conmutación de inversores industriales
• Apto para instalaciones de prueba de alta tensión de laboratorio
¿Qué encapsulado y método de montaje utiliza?
Se suministra en un encapsulado TO-220AB y está diseñado para montaje en orificio pasante para permitir un disipador térmico sencillo y fijación al chasis.
¿Qué rango térmico puede soportar en entornos exigentes?
El dispositivo está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, adaptándose a amplias temperaturas ambiente y de unión elevadas.
¿Cómo afecta la tensión directa al rendimiento de conmutación?
La tensión directa típica de 1,2 V indica el comportamiento de umbral de conducción durante la conducción del diodo del cuerpo e influye en los cálculos de pérdida durante eventos de recuperación inversa y rueda libre.
¿Es este dispositivo adecuado para diseños estándar de automoción?
No está diseñado para cumplir los estándares de automoción y no debe suponerse que cumple los requisitos específicos de automoción.
Links relacionados
- MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHP24N80AEF-GE3, VDSS 800 V, ID 20 A, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHP5N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 4.4 A, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHP11N80AEF-GE3, VDSS 800 V, ID 8 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHP15N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 13 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia, N-Canal Vishay, VDSS 800 V, ID 8 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHP6N40D-GE3, VDSS 400 V, ID 6 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHP8N50D-GE3, VDSS 500 V, ID 8.7 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SiHP080N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 35 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines