MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHP5N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 4.4 A, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 225-9919
- Referência do fabricante:
- SIHP5N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 225-9919
- Referência do fabricante:
- SIHP5N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | E | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.35Ω | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 16.5nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 62.5W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.52mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 4.65mm | |
| Altura | 15.85mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie E | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.35Ω | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16.5nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 62.5W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.52mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 4.65mm | ||
Altura 15.85mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 800 V, disipación de potencia máxima de 62,5 W - SIHP5N80AE-GE3
Este MOSFET de potencia es un transistor de canal N de alta tensión diseñado para tareas de conmutación y conversión de potencia en entornos industriales. Funciona en un amplio rango de temperatura ambiente y se suministra en un encapsulado TO-220AB para montaje convencional. El dispositivo admite requisitos de tensión de drenaje-fuente elevados al tiempo que proporciona una capacidad de corriente continua moderada y está diseñado para aplicaciones de montaje en superficie en equipos que requieren componentes conformes con RoHS.
Características y ventajas:
• La capacidad de drenaje de 800 V permite la conmutación de alta tensión
• La corriente continua de 4,4 A es adecuada para cargas de potencia moderadas
• La Rds(on) de 1,35 Ω minimiza las pérdidas de conducción bajo carga
• La disipación máxima de 62,5 W admite un manejo de potencia elevado
• La carga de puerta típica de 16,5 nC permite transiciones de puerta más rápidas
• La tolerancia de puerta de ±30 V permite tensiones de accionamiento flexibles
• La corriente continua de 4,4 A es adecuada para cargas de potencia moderadas
• La Rds(on) de 1,35 Ω minimiza las pérdidas de conducción bajo carga
• La disipación máxima de 62,5 W admite un manejo de potencia elevado
• La carga de puerta típica de 16,5 nC permite transiciones de puerta más rápidas
• La tolerancia de puerta de ±30 V permite tensiones de accionamiento flexibles
Aplicaciones
• Apto para fuentes de alimentación y convertidores de alta tensión
• Ideal para alimentación industrial de modo conmutado
• Se utiliza con accionamientos de motor que requieren un margen de tensión robusto
• Puede utilizarse para circuitos de amortiguación y abrazadera en sistemas HV
• Adecuado para instalaciones de prueba de laboratorio que manejan altas tensiones
• Ideal para alimentación industrial de modo conmutado
• Se utiliza con accionamientos de motor que requieren un margen de tensión robusto
• Puede utilizarse para circuitos de amortiguación y abrazadera en sistemas HV
• Adecuado para instalaciones de prueba de laboratorio que manejan altas tensiones
¿Qué extremos térmicos puede soportar durante el funcionamiento?
Está diseñado para funcionar de –55 a 150 °C, lo que permite su uso en condiciones industriales de arranque en frío y altas temperaturas.
¿Qué encapsulado y método de montaje utiliza para la implementación de PCB?
Se suministra en un encapsulado TO-220AB y está diseñado para montaje en superficie, lo que facilita el disipador térmico de tipo orificio pasante en los conjuntos.
¿Cuántos contactos de conexión se proporcionan y cuál es el tipo de polaridad?
El dispositivo tiene tres contactos y emplea un tipo de canal N, con funciones de contacto MOSFET típicas para puerta, drenaje y fuente.
¿Hay límites en la tensión de accionamiento de puerta para evitar daños?
La tensión de fuente de puerta no debe exceder los 30 V para evitar la sobretensión de la puerta durante la conducción.
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