MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP65R090CFD7XKSA1, VDSS 700 V, ID 25 A, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 236-3661
- Referência do fabricante:
- IPP65R090CFD7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 tubo de 500 unidades)*
869,00 €
Adicione 500 unidades para obter entrega gratuita
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 29 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 500 + | 1,738 € | 869,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 236-3661
- Referência do fabricante:
- IPP65R090CFD7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 25A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 900mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 53nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 127W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4.57 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Altura | 9.45mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 25A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 900mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 53nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 127W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4.57 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.36mm | ||
Altura 9.45mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de súper unión CoolMOS de Infineon con diodo de cuerpo rápido integrado es la elección perfecta para topologías de alta potencia resonante. Es ideal para aplicaciones industriales, como estaciones de carga de servidores, telecomunicaciones, energía solar y EV, en el que permite mejoras significativas de la eficiencia en comparación con la competencia. Tiene una corriente de drenaje de 25 A.
Excelente resistencia de conmutación dura
Margen de seguridad adicional para diseños con mayor tensión de bus
Permite una mayor densidad de potencia
Excelente eficiencia de carga ligera en aplicaciones SMPS industriales
Eficiencia de carga completa mejorada en aplicaciones SMPS industriales
Competitividad de precios en comparación con ofertas alternativas en el mercado
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP65R090CFD7XKSA1, VDSS 700 V, ID 25 A, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 10 A, N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 7.4 A, N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 8.5 A, N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPAN70R450P7SXKSA1, VDSS 700 V, ID 10 A, N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPAW70R950CEXKSA1, VDSS 700 V, ID 7.4 A, N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPA70R600P7SXKSA1, VDSS 700 V, ID 8.5 A, N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPAN70R600P7SXKSA1, VDSS 700 V, ID 8.5 A, N, TO-220 de 3 pines