MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP65R190CFD7XKSA1, VDSS 700 V, ID 12 A, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
236-3668
Referência do fabricante:
IPP65R190CFD7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Encapsulado

TO-220

Serie

CoolMOS

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

190mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

23nC

Disipación de potencia máxima Pd

63W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

9.45mm

Anchura

4.57 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.36mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de súper unión CoolMOS de Infineon con diodo de cuerpo rápido integrado es la elección perfecta para topologías de alta potencia resonante. Es ideal para aplicaciones industriales, como estaciones de carga de servidores, telecomunicaciones, energía solar y EV, en el que permite mejoras significativas de la eficiencia en comparación con la competencia. Tiene una corriente de drenaje de 12 A.

Excelente resistencia de conmutación dura

Margen de seguridad adicional para diseños con mayor tensión de bus

Permite una mayor densidad de potencia

Excelente eficiencia de carga ligera en aplicaciones SMPS industriales

Eficiencia de carga completa mejorada en aplicaciones SMPS industriales

Competitividad de precios en comparación con ofertas alternativas en el mercado

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