MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 10 A, N, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 214-4358
- Referência do fabricante:
- IPAN70R450P7SXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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*preço indicativo
- Código RS:
- 214-4358
- Referência do fabricante:
- IPAN70R450P7SXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Serie | 700V CoolMOS P7 | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 450mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 22.7W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13.1nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.68mm | |
| Altura | 4.85mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Serie 700V CoolMOS P7 | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 450mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Disipación de potencia máxima Pd 22.7W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13.1nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.68mm | ||
Altura 4.85mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie MOSFET de súper empalme P7 Cool MOS 700V se dirige al mercado de SMPS de baja potencia, como cargadores de teléfono móvil o adaptadores de ordenador portátil, ofreciendo ganancias de rendimiento fundamentales.
Admite menos tamaño magnético con costes de BOM más bajos
Tiene alta resistencia ESD
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