MOSFET, N-Canal Infineon BSC005N03LS5ATMA1, VDSS 30 V, ID 433 A, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 236-3643
- Referência do fabricante:
- BSC005N03LS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 236-3643
- Referência do fabricante:
- BSC005N03LS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 433A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.5mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 59nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 188W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 6.35mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5.49mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 433A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie OptiMOS™ | ||
Encapsulado TDSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.5mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 59nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 188W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 6.35mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5.49mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie OptiMOSTM de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 433 A - BSC005N03LS5ATMA1
Este MOSFET es un transistor de canal N de alta corriente diseñado para conmutación de potencia de montaje en superficie en entornos térmicos exigentes. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para aplicaciones que requieren bajas pérdidas de conducción y una capacidad de corriente de drenaje continua sustancial mientras se monta en un encapsulado TDSON.
Características y ventajas:
• La corriente de drenaje continua 433 A permite la conmutación de alta corriente
• La baja Rds(on) de 5,5 mΩ reduce las pérdidas por conducción bajo carga
• El valor nominal de drenaje-fuente de 30 V permite etapas de potencia de tensión moderada
• La disipación de potencia de 188 W admite un manejo de alta potencia
• La carga de puerta de 59 nC permite una planificación de energía de accionamiento de puerta predecible
• La tensión de fuente de puerta máxima de ±20 V proporciona un amplio margen de accionamiento
• La baja Rds(on) de 5,5 mΩ reduce las pérdidas por conducción bajo carga
• El valor nominal de drenaje-fuente de 30 V permite etapas de potencia de tensión moderada
• La disipación de potencia de 188 W admite un manejo de alta potencia
• La carga de puerta de 59 nC permite una planificación de energía de accionamiento de puerta predecible
• La tensión de fuente de puerta máxima de ±20 V proporciona un amplio margen de accionamiento
Aplicaciones
• Adecuado para convertidores y reguladores dc-dc de alta corriente
• Ideal para carriles de alimentación de servidor y módulos de alimentación de telecomunicaciones
• Se utiliza con etapas de accionamiento de motor que requieren alta corriente continua
• Puede utilizarse para la gestión de baterías y la distribución de energía
• Apto para conjuntos de alimentación compactos de montaje en superficie
• Ideal para carriles de alimentación de servidor y módulos de alimentación de telecomunicaciones
• Se utiliza con etapas de accionamiento de motor que requieren alta corriente continua
• Puede utilizarse para la gestión de baterías y la distribución de energía
• Apto para conjuntos de alimentación compactos de montaje en superficie
¿Qué consideraciones sobre el encapsulado afectan a la gestión térmica?
El encapsulado de montaje en superficie TDSON proporciona una huella de perfil bajo y requiere un área de cobre de PCB o vías térmicas adecuadas para disipar su potencia nominal de 188 W de manera eficaz dentro de las limitaciones térmicas de nivel de placa.
¿Cómo soporta el dispositivo temperaturas ambiente extremas?
Está especificado para funcionar de -55 °C a 175 °C, lo que permite su uso en un amplio rango de temperaturas sin reducción de potencia para muchos entornos de alta temperatura.
¿Qué requisitos de accionamiento de puerta deben respetarse?
Los circuitos de accionamiento deben mantener la tensión de puerta dentro de ±20 V y tener en cuenta la carga total de puerta de 59 nC al dimensionar la corriente de pico del controlador y la temporización de conmutación.
¿Cómo deben planificar los diseñadores las pérdidas de conducción y conmutación?
Utilice la Rds(on) de 5,5 mΩ para estimar las pérdidas de conducción I^2R e incluya energía para cargar la puerta de 59 nC al calcular los presupuestos térmicos y de eficiencia totales.
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