MOSFET, N-Canal Infineon BSC005N03LS5ATMA1, VDSS 30 V, ID 433 A, TDSON de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*

21,78 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde

Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
5 - 454,356 €21,78 €
50 - 1203,926 €19,63 €
125 - 2453,664 €18,32 €
250 - 4953,398 €16,99 €
500 +3,136 €15,68 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
236-3643
Referência do fabricante:
BSC005N03LS5ATMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

433A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

OptiMOS™

Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.5mΩ

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

59nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

188W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

5.49mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.35mm

Altura

1.1mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de la serie OptiMOSTM de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 433 A - BSC005N03LS5ATMA1


Este MOSFET es un transistor de canal N de alta corriente diseñado para conmutación de potencia de montaje en superficie en entornos térmicos exigentes. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para aplicaciones que requieren bajas pérdidas de conducción y una capacidad de corriente de drenaje continua sustancial mientras se monta en un encapsulado TDSON.

Características y ventajas:


• La corriente de drenaje continua 433 A permite la conmutación de alta corriente
• La baja Rds(on) de 5,5 mΩ reduce las pérdidas por conducción bajo carga
• El valor nominal de drenaje-fuente de 30 V permite etapas de potencia de tensión moderada
• La disipación de potencia de 188 W admite un manejo de alta potencia
• La carga de puerta de 59 nC permite una planificación de energía de accionamiento de puerta predecible
• La tensión de fuente de puerta máxima de ±20 V proporciona un amplio margen de accionamiento

Aplicaciones


• Adecuado para convertidores y reguladores dc-dc de alta corriente
• Ideal para carriles de alimentación de servidor y módulos de alimentación de telecomunicaciones
• Se utiliza con etapas de accionamiento de motor que requieren alta corriente continua
• Puede utilizarse para la gestión de baterías y la distribución de energía
• Apto para conjuntos de alimentación compactos de montaje en superficie

¿Qué consideraciones sobre el encapsulado afectan a la gestión térmica?


El encapsulado de montaje en superficie TDSON proporciona una huella de perfil bajo y requiere un área de cobre de PCB o vías térmicas adecuadas para disipar su potencia nominal de 188 W de manera eficaz dentro de las limitaciones térmicas de nivel de placa.

¿Cómo soporta el dispositivo temperaturas ambiente extremas?


Está especificado para funcionar de -55 °C a 175 °C, lo que permite su uso en un amplio rango de temperaturas sin reducción de potencia para muchos entornos de alta temperatura.

¿Qué requisitos de accionamiento de puerta deben respetarse?


Los circuitos de accionamiento deben mantener la tensión de puerta dentro de ±20 V y tener en cuenta la carga total de puerta de 59 nC al dimensionar la corriente de pico del controlador y la temporización de conmutación.

¿Cómo deben planificar los diseñadores las pérdidas de conducción y conmutación?


Utilice la Rds(on) de 5,5 mΩ para estimar las pérdidas de conducción I^2R e incluya energía para cargar la puerta de 59 nC al calcular los presupuestos térmicos y de eficiencia totales.

Links relacionados