MOSFET, N-Canal Infineon BSC005N03LS5ATMA1, VDSS 30 V, ID 433 A, TDSON de 8 pines

Código RS:: 236-3642
Referência do fabricante:: BSC005N03LS5ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, N-Canal Infineon BSC005N03LS5ATMA1, VDSS 30 V, ID 433 A, TDSON de 8 pines

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Código RS:: 236-3642
Referência do fabricante:: BSC005N03LS5ATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	433A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Encapsulado	TDSON
	Serie	OptiMOS™
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	5.5mΩ
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	188W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	59nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Tensión directa Vf	1V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Longitud	5.49mm
	Altura	1.1mm
	Anchura	6.35mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de canal N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 433A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Encapsulado TDSON
	Serie OptiMOS™
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.5mΩ
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 188W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 59nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Tensión directa Vf 1V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Longitud 5.49mm
	Altura 1.1mm
	Anchura 6.35mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

Datasheet - BSC005N03LS5ATMA1

MOSFET de la serie OptiMOSTM de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 433 A - BSC005N03LS5ATMA1

Este MOSFET es un transistor de canal N de alta corriente diseñado para conmutación de potencia de montaje en superficie en entornos térmicos exigentes. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para aplicaciones que requieren bajas pérdidas de conducción y una capacidad de corriente de drenaje continua sustancial mientras se monta en un encapsulado TDSON.

Características y ventajas:

• La corriente de drenaje continua 433 A permite la conmutación de alta corriente
• La baja Rds(on) de 5,5 mΩ reduce las pérdidas por conducción bajo carga
• El valor nominal de drenaje-fuente de 30 V permite etapas de potencia de tensión moderada
• La disipación de potencia de 188 W admite un manejo de alta potencia
• La carga de puerta de 59 nC permite una planificación de energía de accionamiento de puerta predecible
• La tensión de fuente de puerta máxima de ±20 V proporciona un amplio margen de accionamiento

Aplicaciones

• Adecuado para convertidores y reguladores dc-dc de alta corriente
• Ideal para carriles de alimentación de servidor y módulos de alimentación de telecomunicaciones
• Se utiliza con etapas de accionamiento de motor que requieren alta corriente continua
• Puede utilizarse para la gestión de baterías y la distribución de energía
• Apto para conjuntos de alimentación compactos de montaje en superficie

¿Qué consideraciones sobre el encapsulado afectan a la gestión térmica?

El encapsulado de montaje en superficie TDSON proporciona una huella de perfil bajo y requiere un área de cobre de PCB o vías térmicas adecuadas para disipar su potencia nominal de 188 W de manera eficaz dentro de las limitaciones térmicas de nivel de placa.

¿Cómo soporta el dispositivo temperaturas ambiente extremas?

Está especificado para funcionar de -55 °C a 175 °C, lo que permite su uso en un amplio rango de temperaturas sin reducción de potencia para muchos entornos de alta temperatura.

¿Qué requisitos de accionamiento de puerta deben respetarse?

Los circuitos de accionamiento deben mantener la tensión de puerta dentro de ±20 V y tener en cuenta la carga total de puerta de 59 nC al dimensionar la corriente de pico del controlador y la temporización de conmutación.

¿Cómo deben planificar los diseñadores las pérdidas de conducción y conmutación?

Utilice la Rds(on) de 5,5 mΩ para estimar las pérdidas de conducción I^2R e incluya energía para cargar la puerta de 59 nC al calcular los presupuestos térmicos y de eficiencia totales.