MOSFET, N-Canal Toshiba SSM6N7002KFU,LF(T, VDSS 60 V, ID 300 mA, US6 de 6 pines
- Código RS:
- 236-3582
- Referência do fabricante:
- SSM6N7002KFU,LF(T
- Fabricante:
- Toshiba
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- Código RS:
- 236-3582
- Referência do fabricante:
- SSM6N7002KFU,LF(T
- Fabricante:
- Toshiba
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Toshiba | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 300mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | US6 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.2mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | -0.79V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500mW | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.39nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 900μm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 2mm | |
| Longitud | 2.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Toshiba | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 300mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado US6 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.2mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf -0.79V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500mW | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.39nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 900μm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 2mm | ||
Longitud 2.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor de efecto de campo Toshiba compuesto de material de silicio y con tipo MOS de canal N. Se utiliza principalmente en aplicaciones de conmutación de alta velocidad.
Rango de temperatura de almacenamiento: −55 a 150 °C.
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