MOSFET, N-Canal Toshiba, VDSS 60 V, ID 300 mA, US6 de 6 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

240,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 28 de abril de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
3000 +0,08 €240,00 €

*preço indicativo

Código RS:
236-3581
Referência do fabricante:
SSM6N7002KFU,LF(T
Fabricante:
Toshiba
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Toshiba

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

300mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

US6

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.2mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.39nC

Tensión directa Vf

-0.79V

Disipación de potencia máxima Pd

500mW

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

2mm

Altura

900μm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

2.1mm

Estándar de automoción

No

El transistor de efecto de campo Toshiba compuesto de material de silicio y con tipo MOS de canal N. Se utiliza principalmente en aplicaciones de conmutación de alta velocidad.

Rango de temperatura de almacenamiento: −55 a 150 °C.

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.