MOSFET, Tipo P-Canal Toshiba SSM3J356R,LF(T, VDSS 60 V, ID 2 A, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
236-3573
Referência do fabricante:
SSM3J356R,LF(T
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

400mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.3nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20 V

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

2.4mm

Anchura

2.9 mm

Altura

0.8mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El transistor de efecto de campo Toshiba compuesto de material de silicio y con tipo MOS de canal P. Se utiliza principalmente en aplicaciones de conmutación de gestión de potencia.

Rango de temperatura de almacenamiento: −55 a 150 °C.

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