MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT013N08NM5LFATMA1, VDSS 80 V, ID 333 A, HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 236-1587
- Referência do fabricante:
- IPT013N08NM5LFATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 236-1587
- Referência do fabricante:
- IPT013N08NM5LFATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 333A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | HSOF-8 | |
| Serie | IPT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.3mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 158nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 278W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.1mm | |
| Altura | 2.4mm | |
| Anchura | 10.58mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 333A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado HSOF-8 | ||
Serie IPT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.3mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 158nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 278W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.1mm | ||
Altura 2.4mm | ||
Anchura 10.58mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET lineal de 80 V Infineon OptiMOS 5. Este producto está totalmente calificado según JEDEC para aplicaciones industriales .
Ideal para aplicaciones de intercambio en caliente y fusibles electrónicos
Resistencia de conexión RDS(on) muy baja
SOA de área de funcionamiento segura amplia
Canal N, nivel normal
100 % a prueba de avalancha
Chapado sin plomo, sin halógenos
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