MOSFET, N-Canal Infineon IPT013N08NM5LFATMA1, VDSS 80 V, ID 333 A, HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 236-1587
- Referência do fabricante:
- IPT013N08NM5LFATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Adicione mais 10 para poupar 4%
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
10,33 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
- 3 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Poupança |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 10,33 € | - |
| 10 - 24 | 9,82 € | 4% |
| 25 - 49 | 9,41 € | 8% |
| 50 - 99 | 9,00 € | 12% |
| 100 + | 8,36 € | 19% |
*preço indicativo
- Código RS:
- 236-1587
- Referência do fabricante:
- IPT013N08NM5LFATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 333A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | IPT | |
| Encapsulado | HSOF-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.3mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 158nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 278W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 10.58mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.4mm | |
| Longitud | 10.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 333A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie IPT | ||
Encapsulado HSOF-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.3mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 158nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 278W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 10.58mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.4mm | ||
Longitud 10.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie IPT de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 80 V, corriente de drenaje continua máxima de 333 A - IPT013N08NM5LFATMA1
Características y ventajas:
• Valor nominal de drenaje a fuente de 80 V para sistemas de tensión media
• Rds(on) baja de 1.3 mΩ para reducir las pérdidas por conducción
• Disipación de potencia máxima de 278 W para cabecera térmica
• Carga de puerta típica de 158 nC para un comportamiento de conmutación predecible
Aplicaciones
• Ideal para accionamientos de motor e inversores de tracción
• Se utiliza con módulos de distribución de potencia en servidores
• Se puede utilizar para sistemas de gestión de baterías de alta potencia
¿Qué rango de tensión de puerta es admisible para accionar este dispositivo?
¿Qué encapsulado y estilo de montaje utiliza para el montaje?
¿Cómo funciona el dispositivo en condiciones de baja temperatura?
¿Qué medidas de envolvente físico son relevantes para la planificación de la huella de PCB?
¿Está especificado este dispositivo para cumplir los estándares de automoción?
Links relacionados
- MOSFET, N-Canal Infineon IPT013N08NM5LFATMA1, VDSS 80 V, ID 333 A, HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 43 A, HSOF de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon IPT010N08NM5ATMA1, VDSS 80 V, ID 43 A, HSOF de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 165 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 300 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 240 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon IAUT165N08S5N029ATMA2, VDSS 80 V, ID 165 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon IAUT240N08S5N019ATMA1, VDSS 80 V, ID 240 A, Mejora, HSOF de 8 pines
