MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT013N08NM5LFATMA1, VDSS 80 V, ID 333 A, HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 236-1587
- Referência do fabricante:
- IPT013N08NM5LFATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
5,87 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 3 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 5,87 € |
| 10 - 24 | 5,57 € |
| 25 - 49 | 5,34 € |
| 50 - 99 | 5,11 € |
| 100 + | 4,75 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 236-1587
- Referência do fabricante:
- IPT013N08NM5LFATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 333A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | IPT | |
| Encapsulado | HSOF-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.3mΩ | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 278W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 158nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 333A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie IPT | ||
Encapsulado HSOF-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.3mΩ | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 278W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 158nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET lineal de 80 V Infineon OptiMOS 5. Este producto está totalmente calificado según JEDEC para aplicaciones industriales .
Ideal para aplicaciones de intercambio en caliente y fusibles electrónicos
Resistencia de conexión RDS(on) muy baja
SOA de área de funcionamiento segura amplia
Canal N, nivel normal
100 % a prueba de avalancha
Chapado sin plomo, sin halógenos
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT013N08NM5LFATMA1, VDSS 80 V, ID 333 A, HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 43 A, HSOF de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT010N08NM5ATMA1, VDSS 80 V, ID 43 A, HSOF de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 300 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 165 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 240 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 169 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IAUT165N08S5N029ATMA2, VDSS 80 V, ID 165 A, Mejora, HSOF de 8 pines