MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT010N08NM5ATMA1, VDSS 80 V, ID 43 A, HSOF de 8 pines
- Código RS:
- 225-0582
- Referência do fabricante:
- IPT010N08NM5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
15,91 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Stock limitado
- 10 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 7,955 € | 15,91 € |
| 20 - 48 | 6,845 € | 13,69 € |
| 50 - 98 | 6,365 € | 12,73 € |
| 100 - 198 | 5,965 € | 11,93 € |
| 200 + | 5,49 € | 10,98 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 225-0582
- Referência do fabricante:
- IPT010N08NM5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 43A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | IPT010N08NM5 | |
| Encapsulado | HSOF | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.05mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 178nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.4mm | |
| Anchura | 10.58mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 43A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie IPT010N08NM5 | ||
Encapsulado HSOF | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.05mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 178nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.4mm | ||
Anchura 10.58mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon IPT010N08NM5 es el MOSFET de potencia OptiMOS 5 de canal N sencillo de 80V 1.05mΩ 425A V en un encapsulado DE PEAJE. La tecnología de silicio OptiMOS 5 es una nueva generación de MOSFET de potencia y está especialmente diseñada para rectificación síncrona para fuentes de alimentación de servidores y telecomunicaciones.
Mayor densidad de potencia
Sobreimpulso de baja tensión
Requiere menos conexión en paralelo
Eficiencia del sistema más alta
Menores pérdidas por conmutación y conducción
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 43 A, HSOF de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 247 A, HSOF
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 199 A, HSOF
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT019N08N5ATMA1, VDSS 80 V, ID 247 A, HSOF
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT012N08NF2SATMA1, VDSS 80 V, ID 199 A, HSOF
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 300 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 165 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 240 A, Mejora, HSOF de 8 pines