MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT010N08NM5ATMA1, VDSS 80 V, ID 43 A, HSOF de 8 pines
- Código RS:
- 225-0582
- Referência do fabricante:
- IPT010N08NM5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 225-0582
- Referência do fabricante:
- IPT010N08NM5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 43A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | HSOF | |
| Serie | IPT010N08NM5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.05mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 178nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.1mm | |
| Anchura | 10.58 mm | |
| Altura | 2.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 43A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado HSOF | ||
Serie IPT010N08NM5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.05mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 178nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.1mm | ||
Anchura 10.58 mm | ||
Altura 2.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon IPT010N08NM5 es el MOSFET de potencia OptiMOS 5 de canal N sencillo de 80V 1.05mΩ 425A V en un encapsulado DE PEAJE. La tecnología de silicio OptiMOS 5 es una nueva generación de MOSFET de potencia y está especialmente diseñada para rectificación síncrona para fuentes de alimentación de servidores y telecomunicaciones.
Mayor densidad de potencia
Sobreimpulso de baja tensión
Requiere menos conexión en paralelo
Eficiencia del sistema más alta
Menores pérdidas por conmutación y conducción
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