MOSFET, N-Canal ROHM SH8KC7TB1, VDSS 60 V, ID 10.5 A, Mejora, SOP de 8 pines

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Código RS:
235-2813
Referência do fabricante:
SH8KC7TB1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

10.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

12.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

1.75mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

5.2mm

Longitud

4.05mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de baja resistencia de conexión ROHM es ideal para aplicaciones de conmutación. Este producto incluye dos MOSFET 60V en un pequeño encapsulado de montaje superficial.

Chapado sin plomo

Sin halógenos

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