MOSFET, Tipo N-Canal ROHM SH8KC6TB1, VDSS 60 V, ID 6.5 A, Mejora, SOP de 8 pines

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Código RS:
235-2811
Referência do fabricante:
SH8KC6TB1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

32mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

4.05mm

Altura

5.2mm

Anchura

1.75 mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de baja resistencia de conexión ROHM es ideal para aplicaciones de conmutación. Este producto incluye dos MOSFET 60V en un pequeño encapsulado de montaje superficial.

Chapado sin plomo

Sin halógenos

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