MOSFET, N-Canal ROHM SH8KC6TB1, VDSS 60 V, ID 6.5 A, Mejora, SOP de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Sem stock actualmente
Lamentamos, mas não temos previsão para a reposição deste artigo
Código RS:
235-2811
Referência do fabricante:
SH8KC6TB1
Fabricante:
ROHM
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

32mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

5.2mm

Longitud

4.05mm

Anchura

1.75mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de baja resistencia de conexión ROHM es ideal para aplicaciones de conmutación. Este producto incluye dos MOSFET 60V en un pequeño encapsulado de montaje superficial.

Chapado sin plomo

Sin halógenos

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.