MOSFET, N-Canal ROHM SH8KC7TB1, VDSS 60 V, ID 10.5 A, Mejora, SOP de 8 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
235-2815
Referência do fabricante:
SH8KC7TB1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

10.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

12.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22nC

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.75mm

Altura

5.2mm

Longitud

4.05mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de baja resistencia de conexión ROHM es ideal para aplicaciones de conmutación. Este producto incluye dos MOSFET 60V en un pequeño encapsulado de montaje superficial.

Chapado sin plomo

Sin halógenos

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