MOSFET ROHM R6511END3TL1, VDSS 650 V, ID 11 A, DPAK (TO-252) de 3 pines
- Código RS:
- 235-2693
- Referência do fabricante:
- R6511END3TL1
- Fabricante:
- ROHM
Informação de stock atualmente indisponível
- Código RS:
- 235-2693
- Referência do fabricante:
- R6511END3TL1
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 11 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V | |
| Tipo de Encapsulado | DPAK (TO-252) | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,4 Ω | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 11 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 650 V | ||
Tipo de Encapsulado DPAK (TO-252) | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 0,4 Ω | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 4V | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
La serie ROHM R6xxxENx son productos de bajo nivel de ruido, MOSFET de súper unión, que hacen hincapié en la facilidad de uso. Esta serie de productos alcanza un rendimiento superior para aplicaciones sensibles al ruido para reducir el ruido, como equipos de audio e iluminación.
Baja resistencia
Velocidad de conmutación rápida
Fácil de usar en paralelo
Chapado sin plomo
En conformidad con RoHS
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