MOSFET, N-Canal ROHM R6502END3TL1, VDSS 650 V, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
265-280
Referência do fabricante:
R6502END3TL1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-252

Serie

R65

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.0Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.5nC

Disipación de potencia máxima Pd

26W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET ROHM es un MOSFET Super Junction de bajo ruido, que hace hincapié en la facilidad de uso. Los productos de esta serie consiguen un rendimiento superior en aplicaciones sensibles al ruido para reducirlo, como equipos de audio e iluminación.

Revestimiento de plomo sin plomo

Conforme con RoHS

Conmutación rápida

Los circuitos de accionamiento pueden ser sencillos

El uso en paralelo es fácil

Resistencia de conexión baja

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