MOSFET, Tipo N-Canal ROHM R6511END3TL1, VDSS 650 V, ID 11 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 235-2694
- Referência do fabricante:
- R6511END3TL1
- Fabricante:
- ROHM
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
14,64 €
Adicione 30 unidades para obter entrega gratuita
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 11 de agosto de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,928 € | 14,64 € |
| 50 - 95 | 2,51 € | 12,55 € |
| 100 - 245 | 2,134 € | 10,67 € |
| 250 - 995 | 2,086 € | 10,43 € |
| 1000 + | 1,718 € | 8,59 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 235-2694
- Referência do fabricante:
- R6511END3TL1
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 400mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 32nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 10.4mm | |
| Anchura | 2.4 mm | |
| Longitud | 6.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 400mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 32nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 10.4mm | ||
Anchura 2.4 mm | ||
Longitud 6.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie ROHM R6xxxENx son productos de bajo nivel de ruido, MOSFET de súper unión, que hacen hincapié en la facilidad de uso. Esta serie de productos alcanza un rendimiento superior para aplicaciones sensibles al ruido para reducir el ruido, como equipos de audio e iluminación.
Baja resistencia
Velocidad de conmutación rápida
Fácil de usar en paralelo
Chapado sin plomo
En conformidad con RoHS
Links relacionados
- MOSFET ROHM R6511END3TL1, VDSS 650 V, ID 11 A, DPAK (TO-252) de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal ROHM R6511KND3TL1, VDSS 650 V, ID 11 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal ROHM R6504END3TL1, VDSS 650 V, ID 4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal ROHM R6504KND3TL1, VDSS 650 V, ID 4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal ROHM R6509KND3TL1, VDSS 650 V, ID 9 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal ROHM R6509END3TL1, VDSS 650 V, ID 9 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal ROHM R6507KND3TL1, VDSS 650 V, ID 7 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal ROHM R6507END3TL1, VDSS 650 V, ID 7 A, Mejora, TO-252 de 3 pines