MOSFET, N-Canal ROHM R6000ENHTB1, VDSS 600 V, ID 500 mA, Mejora, SOP de 8 pines

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Código RS:
235-2676
Referência do fabricante:
R6000ENHTB1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

500mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

SOP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.8Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.3nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

1.75mm

Altura

6.3mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5.2mm

Estándar de automoción

No

The ROHM R6xxxENx series are low-noise products, super Junction MOSFET, that place an emphasis on ease-of-use. This series products achieve superior performance for noise-sensitive applications to reduce noise, such as audio and lighting equipment.

Low on-resistance

Fast switching speed

Parallel use is easy

Pb-free plating

RoHS compliant

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