MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMW65R083M1HXKSA1, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 232-0397
- Referência do fabricante:
- IMW65R083M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
5,74 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 119 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 4 | 5,74 € |
| 5 - 9 | 5,45 € |
| 10 - 24 | 5,22 € |
| 25 - 49 | 4,99 € |
| 50 + | 4,65 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 232-0397
- Referência do fabricante:
- IMW65R083M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 24A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 111mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 24A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 111mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon tiene MOSFET de SiC que proporciona un rendimiento fiable y rentable en un encapsulado de TO247 3 contactos. La tecnología MOSFET CoolSiC aprovecha las fuertes características físicas del carburo de silicio, añadiendo características únicas que aumentan el rendimiento, la solidez y la facilidad de uso del dispositivo. El MOSFET 650V se basa en un semiconductor de zanja de última generación, optimizado para permitir que no se comprometan a obtener las pérdidas más bajas de la aplicación y la máxima fiabilidad de funcionamiento.
Capacidades bajas
Comportamiento de conmutación optimizado a corrientes superiores
Fiabilidad superior de óxido de puerta
Excelente comportamiento térmico
Mayor capacidad de avalancha
Funciona con controladores estándar
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 53 A, Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 59 A, Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 35 A, Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 58 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 20 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 26 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 46 A, Mejora, TO-247 de 3 pines