MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPW65R099CFD7AXKSA1, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, PG-TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 273-3025
- Referência do fabricante:
- IPW65R099CFD7AXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 tubo de 30 unidades)*
158,55 €
Adicione 30 unidades para obter entrega gratuita
Em stock
- 210 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 5,285 € | 158,55 € |
| 60 + | 4,878 € | 146,34 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 273-3025
- Referência do fabricante:
- IPW65R099CFD7AXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 24A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PG-TO-247 | |
| Serie | IPW | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 99mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 53nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 127W | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, AECQ101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 24A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PG-TO-247 | ||
Serie IPW | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 99mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 53nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 127W | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, AECQ101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia SJ de automoción de canal N MOS frío de 650 V de Infineon en encapsulado TO-247. Tiene la máxima fiabilidad en el campo que cumple los requisitos de vida útil de la automoción.
Permite diseños de mayor densidad de potencia
Cartera granular disponible
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, PG-TO-247 de 3 pines
- MOSFET Infineon, VDSS 650 V, ID 211 A, PG-TO-247
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 21 A, Mejora, PG-TO-247 de 3 pines
- MOSFET Infineon IPW65R050CFD7AXKSA1, VDSS 650 V, ID 211 A, PG-TO-247
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMW65R033M2HXKSA1, VDSS 650 V, ID 53 A, PG-TO-247, Mejora de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMW65R040M2HXKSA1, VDSS 650 V, ID 46 A, Mejora, PG-TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMW65R015M2HXKSA1, VDSS 650 V, ID 93 A, Mejora, PG-TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPW65R115CFD7AXKSA1, VDSS 650 V, ID 21 A, Mejora, PG-TO-247 de 3 pines
