MOSFET, N-Canal Infineon IPW65R099CFD7AXKSA1, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, PG-TO-247 de 3 pines

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Código RS:
273-3025
Referência do fabricante:
IPW65R099CFD7AXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

24A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

PG-TO-247

Serie

IPW

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

99mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

127W

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

53nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS, AECQ101

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de potencia SJ de automoción de canal N MOS frío de 650 V de Infineon en encapsulado TO-247. Tiene la máxima fiabilidad en el campo que cumple los requisitos de vida útil de la automoción.

Permite diseños de mayor densidad de potencia

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