MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 236 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 219-6020
- Referência do fabricante:
- IPW60R037CSFDXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 219-6020
- Referência do fabricante:
- IPW60R037CSFDXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 236A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS CSFD | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 37mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 136nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 245W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 21.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 5.21mm | |
| Longitud | 16.13mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 236A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie CoolMOS CSFD | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 37mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 136nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 245W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 21.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 5.21mm | ||
Longitud 16.13mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de superunión CoolMOS Infineon IPW60R037CSFD es un dispositivo optimizado diseñado para adaptarse al segmento de mercado de carga EV fuera de placa. Gracias a la carga de puerta baja (QG) y al comportamiento de conmutación mejorado, ofrece la máxima eficiencia en el mercado objetivo. Además, se suministra con un diodo de cuerpo rápido integrado y carga de recuperación inversa (Qrr) muy reducida, lo que proporciona la máxima fiabilidad en topologías resonantes. Gracias a estas características, el IPW60R037CSFD cumple los estándares de eficiencia y fiabilidad del mercado de estaciones de carga EV fuera de placa y, además, es compatible con soluciones de alta densidad de potencia.
Diodo de cuerpo ultrarrápido
La mejor carga de recuperación inversa (Qrr) de su clase
Resistencia mejorada de diodo inverso dv/dt y dif/dt
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