MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPP120P04P4L03AKSA2, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 229-1847
- Referência do fabricante:
- IPP120P04P4L03AKSA2
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 229-1847
- Referência do fabricante:
- IPP120P04P4L03AKSA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 120A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | IPP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -16V, +5V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 180nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 136W | |
| Tensión directa Vf | -1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 2.54mm | |
| Anchura | 15.95mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 15.65mm | |
| Estándar de automoción | AEC | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 120A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie IPP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -16V, +5V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 180nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 136W | ||
Tensión directa Vf -1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 2.54mm | ||
Anchura 15.95mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 15.65mm | ||
Estándar de automoción AEC | ||
MOSFET IPP serie Infineon, corriente de drenaje continua máxima de 120 A, tensión de fuente de drenaje máxima de 40 V - IPP120P04P4L03AKSA2
Este MOSFET de silicio está diseñado para ofrecer un alto rendimiento en diversas aplicaciones. El componente incorpora un encapsulado TO-220 que mejora su capacidad de disipación térmica efectiva. Con una corriente de drenaje continua máxima de 120 A y una tensión de drenaje-fuente de 40 V, ofrece una excelente flexibilidad operativa en entornos exigentes. El MOSFET funciona eficientemente en un amplio rango de temperaturas, lo que lo hace adecuado para aplicaciones industriales y de automoción.
Características y ventajas
• El modo de mejora del canal P garantiza un rendimiento de conmutación eficiente
• Cualificado por la AEC, cumple las rigurosas normas de automoción
• La temperatura máxima de funcionamiento de +175 °C permite cumplir los requisitos más exigentes
• La clasificación MSL1 admite procesos de reflujo a alta temperatura
Aplicaciones
• Se utiliza en sistemas de control de automóviles para una gestión eficiente de la energía
• Eficaz para el accionamiento de motores eléctricos en robótica
• Incorporados a los circuitos de alimentación de la maquinaria industrial
• Adecuado para electrónica de consumo donde el tamaño compacto es esencial
¿Qué significa la corriente de drenaje continua máxima?
La clasificación de corriente de drenaje continua máxima indica la mayor cantidad de corriente que el dispositivo puede manejar en condiciones normales de funcionamiento, lo que es esencial para garantizar la fiabilidad en aplicaciones que exigen una alta capacidad de corriente.
¿Cómo contribuye la baja Rds(on) a la eficiencia energética?
Un Rds(on) bajo reduce las pérdidas de potencia durante el funcionamiento, lo que permite que los dispositivos funcionen más fríos y mejora la eficiencia energética general del sistema, lo que resulta especialmente beneficioso en diseños que funcionan con baterías.
¿Qué características de seguridad ofrece este componente para entornos difíciles?
Este dispositivo ha sido sometido a pruebas de avalancha al 100%, lo que garantiza que puede soportar condiciones transitorias sin fallos, lo que resulta crucial para proteger circuitos en entornos impredecibles, como las aplicaciones industriales y de automoción.
¿Qué características de rendimiento hay que tener en cuenta al integrar este componente en los sistemas existentes?
Deben evaluarse características clave como la tensión de umbral de puerta, la tensión máxima puerta-fuente y la resistencia térmica para garantizar la compatibilidad con los diseños de circuitos existentes y optimizar el rendimiento.
¿Cómo mejora el rango de temperaturas de funcionamiento su utilidad en distintas aplicaciones?
Con un rango de temperaturas de funcionamiento de -55 °C a +175 °C, este MOSFET es lo suficientemente versátil como para utilizarse en un amplio espectro de aplicaciones, desde entornos de frío extremo hasta entornos operativos de alta temperatura.
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