MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPP120P04P4L03AKSA2, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código RS:: 229-1847
Referência do fabricante:: IPP120P04P4L03AKSA2
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPP120P04P4L03AKSA2, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Sem stock actualmente

Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.

Código RS:: 229-1847
Referência do fabricante:: IPP120P04P4L03AKSA2
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.

Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	120A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	40V
	Encapsulado	TO-220
	Serie	IPP
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	3.4mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	5V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	136W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	180nC
	Tensión directa Vf	-1.3V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Longitud	15.65mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	2.54mm
	Anchura	15.95mm
	Estándar de automoción	AEC

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 120A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V
	Encapsulado TO-220
	Serie IPP
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.4mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 5V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 136W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 180nC
	Tensión directa Vf -1.3V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Longitud 15.65mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 2.54mm
	Anchura 15.95mm
	Estándar de automoción AEC

Datasheet - IPP120P04P4L03AKSA2

MOSFET IPP serie Infineon, corriente de drenaje continua máxima de 120 A, tensión de fuente de drenaje máxima de 40 V - IPP120P04P4L03AKSA2

Este MOSFET de silicio está diseñado para ofrecer un alto rendimiento en diversas aplicaciones. El componente incorpora un encapsulado TO-220 que mejora su capacidad de disipación térmica efectiva. Con una corriente de drenaje continua máxima de 120 A y una tensión de drenaje-fuente de 40 V, ofrece una excelente flexibilidad operativa en entornos exigentes. El MOSFET funciona eficientemente en un amplio rango de temperaturas, lo que lo hace adecuado para aplicaciones industriales y de automoción.

Características y ventajas

• El modo de mejora del canal P garantiza un rendimiento de conmutación eficiente

• Cualificado por la AEC, cumple las rigurosas normas de automoción

• La temperatura máxima de funcionamiento de +175 °C permite cumplir los requisitos más exigentes

• La clasificación MSL1 admite procesos de reflujo a alta temperatura

Aplicaciones

• Se utiliza en sistemas de control de automóviles para una gestión eficiente de la energía

• Eficaz para el accionamiento de motores eléctricos en robótica

• Incorporados a los circuitos de alimentación de la maquinaria industrial

• Adecuado para electrónica de consumo donde el tamaño compacto es esencial

¿Qué significa la corriente de drenaje continua máxima?

La clasificación de corriente de drenaje continua máxima indica la mayor cantidad de corriente que el dispositivo puede manejar en condiciones normales de funcionamiento, lo que es esencial para garantizar la fiabilidad en aplicaciones que exigen una alta capacidad de corriente.

¿Cómo contribuye la baja Rds(on) a la eficiencia energética?

Un Rds(on) bajo reduce las pérdidas de potencia durante el funcionamiento, lo que permite que los dispositivos funcionen más fríos y mejora la eficiencia energética general del sistema, lo que resulta especialmente beneficioso en diseños que funcionan con baterías.

¿Qué características de seguridad ofrece este componente para entornos difíciles?

Este dispositivo ha sido sometido a pruebas de avalancha al 100%, lo que garantiza que puede soportar condiciones transitorias sin fallos, lo que resulta crucial para proteger circuitos en entornos impredecibles, como las aplicaciones industriales y de automoción.

¿Qué características de rendimiento hay que tener en cuenta al integrar este componente en los sistemas existentes?

Deben evaluarse características clave como la tensión de umbral de puerta, la tensión máxima puerta-fuente y la resistencia térmica para garantizar la compatibilidad con los diseños de circuitos existentes y optimizar el rendimiento.

¿Cómo mejora el rango de temperaturas de funcionamiento su utilidad en distintas aplicaciones?

Con un rango de temperaturas de funcionamiento de -55 °C a +175 °C, este MOSFET es lo suficientemente versátil como para utilizarse en un amplio espectro de aplicaciones, desde entornos de frío extremo hasta entornos operativos de alta temperatura.