Transistor de potencia Infineon, N-Canal IPG20N04S412AATMA1, VDSS 40 V, ID 20 A, SuperSO, Mejora de 8 pines, 2, config.
- Código RS:
- 229-1843
- Referência do fabricante:
- IPG20N04S412AATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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|---|---|---|
| 15 - 60 | 0,981 € | 14,72 € |
| 75 - 135 | 0,933 € | 14,00 € |
| 150 - 360 | 0,893 € | 13,40 € |
| 375 - 735 | 0,853 € | 12,80 € |
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*preço indicativo
- Código RS:
- 229-1843
- Referência do fabricante:
- IPG20N04S412AATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | SuperSO | |
| Serie | IPG | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 12.19mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 41W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 14nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Doble N | |
| Certificaciones y estándares | AEC Q101, RoHS | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado SuperSO | ||
Serie IPG | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 12.19mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 41W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 14nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Configuración de transistor Doble N | ||
Certificaciones y estándares AEC Q101, RoHS | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de nivel normal de canal N doble Infineon tiene el mismo rendimiento térmico y eléctrico que un DPAK con el mismo tamaño de matriz. Su almohadilla expuesta proporciona una excelente transferencia térmica. Se trata de dos canales n en un encapsulado con 2 bastidores de cable aislados.
Cumple con RoHS y tiene certificación AEC Q101
Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.
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