Transistor de potencia Infineon, Tipo N-Canal IPG20N04S4L11AATMA1, VDSS 40 V, ID 20 A, SuperSO, Mejora de 8 pines, 2,

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 15 unidades)*

13,68 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 4950 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
15 - 600,912 €13,68 €
75 - 1350,867 €13,01 €
150 - 3600,829 €12,44 €
375 - 7350,793 €11,90 €
750 +0,739 €11,09 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
229-1845
Referência do fabricante:
IPG20N04S4L11AATMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

Transistor de potencia

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SuperSO

Serie

IPG

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

11.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.9V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20nC

Disipación de potencia máxima Pd

41W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Longitud

5.15mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de nivel lógico de canal N doble Infineon es posible para inspección óptica automática. Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C y se ha probado un 100 % de avalancha.

Cumple con RoHS y tiene certificación AEC Q101

Links relacionados